Germanium Pin-Fotodiode für die Integration in eine Cmos- oder Bicmos-Technologie

EP2898544 Art B1 8. August 2018

Anmelder: IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2898544
Aktenzeichen: EP13765723
Anmeldetag: 19. September 2013
Veröffentlichung: 8. August 2018
Erteilung: 8. August 2018
Rechtsraum: EP
IPC: H01L31/105H01L31/0232H01L31/0224H01L31/028

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 IHP – Innovations for High Performance Microelectronics

Deutsches Forschungsinstitut (Leibniz-Institut) mit Sitz in Frankfurt (Oder), das an Hochleistungs-Mikroelektronik forscht, darunter Silizium-Germanium-Technologien und Halbleiterschaltungen für Kommunikations- und Sensoranwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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