Leistungsmodul-Halbleiterbauelement und Wechselrichtervorrichtung, Verfahren zur Herstellung eines Leistungsmodul-Halbleiterbauelements und Form
EP2899757
Art B1
11. Januar 2023
Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2899757
- Aktenzeichen
- EP13839748
- Anmeldetag
- 13. September 2013
- Veröffentlichung
- 11. Januar 2023
- Erteilung
- 11. Januar 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L25/07H02M7/48H01L25/18H01L23/373H01L23/498H01L21/56
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Rohm Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Rohm
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).
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Vertreten von
-
Isarpatent
Isarpatent · München