Halbleiterstruktur und Ätzverfahren zur Aussparungsbildung
EP2920814
Art A1
23. September 2015
Anmelder: Massachusetts Institute of Technology 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2920814
- Aktenzeichen
- EP13854428
- Anmeldetag
- 15. November 2013
- Veröffentlichung
- 23. September 2015
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/778H01L21/336H01L29/423// H01L29/417H01L29/20
Abstract
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Anmelder
- Firma
- Massachusetts Institute of Technology
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Massachusetts Institute of Technology
US-amerikanische Universität mit Sitz in Cambridge, Massachusetts, eine der weltweit führenden Forschungseinrichtungen. Aktiv in nahezu allen technischen und naturwissenschaftlichen Feldern, darunter Informatik, Ingenieurwesen, Materialwissenschaften und Biotechnologie.
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Fachgebiete
Kanzlei
Venner Shipley LLP
Venner Shipley entstand 1947 aus einer Patentagentur der 1930er-Jahre; durch Fusionen reichen ihre Wurzeln bis in die 1880er zurück. Als europäische Full-Service-IP-Kanzlei ist sie neben Großbritannien auch in Madrid und München vertreten.
31.443
Patente gesamt
40
Patentanwälte
6
Standorte
Weitere Vertreter
-
Gilani, Anwar
NoneCambridge