HEMT-Temperatursensor

EP2922093 Art B1 10. Mai 2017

Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2922093
Aktenzeichen
EP14160771
Anmeldetag
19. März 2014
Veröffentlichung
10. Mai 2017
Erteilung
10. Mai 2017
Rechtsraum
EP
IPC
H01L27/06H01L27/02H01L29/778H01L23/34
Offizieller Volltext

Abstract

An integrated structure (1) comprising a high-electron-mobility transistor (HEMT) (3) and a temperature sensing arrangement (8) integrated with the HEMT, the temperature sensing element (7) configured to provide a signal indicative of temperature for providing temperature protection for the HEMT.

Anmelder

Firma
NXP B.V.
Land
🇳🇱 Niederlande
🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Vertreten von
Hardingham, Christopher Mark NXP Semiconductors · Inhouse Hamburg, Deutschland
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Patente gesamt
24
Fachgebiete
6
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Schwerpunkte
Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Nachrichtentechnik & Telekommunikation Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Elektrische Energietechnik Software & Datenverarbeitung
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