Verfahren zur Herstellung einer Iii-V Gate-Rundum-Halbleitervorrichtung
Anmelder: IMEC VZW 🇧🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2924738
- Aktenzeichen
- EP15160743
- Anmeldetag
- 25. März 2015
- Veröffentlichung
- 22. März 2017
- Erteilung
- 22. März 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/775H01L29/40H01L29/06H01L29/66H01L29/20H01L29/10B82Y10/00B82Y40/00
Abstract
A gate-all-around semiconductor device and a method for manufacturing a gate-all-around (GAA) semiconductor device are disclosed. The method comprises providing on a semiconductor substrate (100) in between STI regions (101) at least one suspended nanostructure (105) anchored by a source (121) and a drain region (122), the suspended nanostructure comprising a crystalline semiconductor material which is different from the semiconductor substrate. A gate stack (117) is provided around the at least one suspended nanostructure.
Anmelder
- Firma
- IMEC VZW
- Land
- 🇧🇪 Belgien
Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.
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Fachgebiete
-
Patent Department IMEC
Patent Department IMEC · Leuven