Elektrodenbeschichtung für Elektronenemissionsvorrichtungen in Hohlräumen
Anmelder: Nexperia B.V., NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2937887
- Aktenzeichen
- EP15161025
- Anmeldetag
- 26. März 2015
- Veröffentlichung
- 7. Dezember 2016
- Erteilung
- 7. Dezember 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01J1/304H01J1/308H01J9/24H01J19/24H01J19/54H01J21/04
Abstract
Embodiments of a method for forming a field emission diode for an electrostatic discharge device include forming a first electrode, a sacrificial layer, and a second electrode. The sacrificial layer separates the first and second electrodes. The method further includes forming a cavity between the first and second electrode by removing the sacrificial layer. The cavity separates the first and second electrodes. The method further includes depositing an electron emission material on at least one of the first and second electrodes through at least one access hole after formation of the first and second electrodes. The access hole is located remotely from a location of electron emission on the first and second electrode.
Anmelder
- Firmen
- Nexperia B.V.
NXP B.V. - Land
- 🇳🇱 Niederlande
Der Anmelder ist ein niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Nijmegen, der als Ausgründung aus NXP Semiconductors hervorging. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Halbleiter- und Elektrobauelemente, ergänzt durch Elektronik, Schaltungstechnik und elektrische Energietechnik. Anmeldungen laufen seit 2009 durchgehend fort.
458 Patente in unserer Datenbank
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
7.918 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
-
Crawford, Andrew
NoneNijmegen