Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
Anmelder: Nexperia B.V., NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2942815
- Aktenzeichen
- EP14176489
- Anmeldetag
- 10. Juli 2014
- Veröffentlichung
- 18. November 2020
- Erteilung
- 18. November 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/47H01L21/285H01L29/778// H01L29/20
Abstract
A semiconductor device comprising at least one active layer (14, 16) on a substrate (10) and a first contact to the at least one active layer, the first contact comprising a metal (28) in contact with the at least one active layer and a capping layer (32) on the metal, the capping layer comprising a diffusion barrier, wherein the capping layer is patterned to form a pattern comprising regions of the contact covered by the capping layer and regions of the contact that are uncovered.
Anmelder
- Firmen
- Nexperia B.V.
NXP B.V. - Land
- 🇳🇱 Niederlande
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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Fachgebiete
-
Crawford, Andrew
NoneNijmegen