Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
Anmelder: Nexperia B.V., NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2942815
- Aktenzeichen
- EP14176489
- Anmeldetag
- 10. Juli 2014
- Veröffentlichung
- 18. November 2020
- Erteilung
- 18. November 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/47H01L21/285H01L29/778// H01L29/20
Abstract
A semiconductor device comprising at least one active layer (14, 16) on a substrate (10) and a first contact to the at least one active layer, the first contact comprising a metal (28) in contact with the at least one active layer and a capping layer (32) on the metal, the capping layer comprising a diffusion barrier, wherein the capping layer is patterned to form a pattern comprising regions of the contact covered by the capping layer and regions of the contact that are uncovered.
Anmelder
- Firmen
- Nexperia B.V.
NXP B.V. - Land
- 🇳🇱 Niederlande
Der Anmelder ist ein niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Nijmegen, der als Ausgründung aus NXP Semiconductors hervorging. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Halbleiter- und Elektrobauelemente, ergänzt durch Elektronik, Schaltungstechnik und elektrische Energietechnik. Anmeldungen laufen seit 2009 durchgehend fort.
459 Patente in unserer Datenbank
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
7.955 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
-
Crawford, Andrew
NoneNijmegen