Vertikale Nanodraht-Halbleiterstrukturen mit niedriger Defektdichte, sowie Herstellungsverfahren dafür
EP2947045
Art B1
28. August 2019
Anmelder: IMEC VZW 🇧🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2947045
- Aktenzeichen
- EP14168913
- Anmeldetag
- 19. Mai 2014
- Veröffentlichung
- 28. August 2019
- Erteilung
- 28. August 2019
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/775H01L29/04H01L29/06H01L21/336B82Y10/00B82Y40/00H01L29/41
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- IMEC VZW
- Land
- 🇧🇪 Belgien
🇧🇪
imec
Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.
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