Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterbauelements mit Transistoren mit unterschiedlicher effektiver Austrittsarbeit

EP2953162 Art A1 9. Dezember 2015

Anmelder: IMEC VZW 🇧🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2953162
Aktenzeichen: EP14171559
Anmeldetag: 6. Juni 2014
Veröffentlichung: 9. Dezember 2015
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/8234H01L21/8238

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: IMEC VZW
Land: 🇧🇪 Belgien

🇧🇪 imec

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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