Mehrschichtige Struktur, Kondensatorelement und Verfahren zur Herstellung davon
EP2955733
Art A1
16. Dezember 2015
Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2955733
- Aktenzeichen
- EP14748896
- Anmeldetag
- 6. Februar 2014
- Veröffentlichung
- 16. Dezember 2015
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01G4/33C23C14/56H01L49/02H01G4/30H01G4/32H01G13/02H01G4/38H01G4/10H02M7/00F16B25/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Rohm Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Rohm
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).
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