Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung davon
EP2966690
Art B1
26. Februar 2020
Anmelder: ROHM CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2966690
- Aktenzeichen
- EP15181700
- Anmeldetag
- 26. März 2009
- Veröffentlichung
- 26. Februar 2020
- Erteilung
- 26. Februar 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L21/336H01L29/12H01L29/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- ROHM CO., LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Rohm
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).
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Fachgebiete
Vertreten von
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Boult Wade Tennant LLP
Boult Wade Tennant LLP · London
-
Boult Wade Tennant
Boult Wade Tennant · London