Transistor auf Graphenbasis mit Germanium-Graphen-Germanium-Stapel

EP2993697 Art A1 9. März 2016

Anmelder: IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik, Alma Mater Studiorum - Università di Bologna, Alma Mater Studiorum -Universita' di Bologna 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2993697
Aktenzeichen: EP14194150
Anmeldetag: 20. November 2014
Veröffentlichung: 9. März 2016
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/737H01L29/165H01L29/16H01L29/66

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik
Alma Mater Studiorum - Università di Bologna
Alma Mater Studiorum -Universita' di Bologna
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 IHP – Innovations for High Performance Microelectronics

Deutsches Forschungsinstitut (Leibniz-Institut) mit Sitz in Frankfurt (Oder), das an Hochleistungs-Mikroelektronik forscht, darunter Silizium-Germanium-Technologien und Halbleiterschaltungen für Kommunikations- und Sensoranwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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