Herstellungsverfahren für Rückwärtsleitenden Bipolaren Transistor mit Isoliertem Gate
EP3002781
Art B1
9. Oktober 2019
Anmelder: CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd., CSMC Technologies Fab1 Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3002781
- Aktenzeichen
- EP14838639
- Anmeldetag
- 19. August 2014
- Veröffentlichung
- 9. Oktober 2019
- Erteilung
- 9. Oktober 2019
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/331H01L29/739H01L29/08H01L29/32
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd.
CSMC Technologies Fab1 Co., Ltd. - Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
CSMC Technologies Fab2
CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. ist ein chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Wuxi, der als Foundry Leistungshalbleiter und analoge Bauelemente fertigt. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Elektronik, Optik und Mess- und Prüftechnik. Anmeldungen erfolgen seit 2010 bis in die Gegenwart.
392 Patente in unserer Datenbank