Herstellungsverfahren für Aluminiumbasiertes Gruppe-Iii-Nitrid-Einkristall

EP3010035 Art B1 21. Dezember 2022

Anmelder: Tokuyama Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3010035
Aktenzeichen
EP14810294
Anmeldetag
10. Juni 2014
Veröffentlichung
21. Dezember 2022
Erteilung
21. Dezember 2022
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/205C23C16/34C30B25/16C30B29/38
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Tokuyama Corporation
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Tokuyama

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Shunan, gegründet 1918. Produziert unter anderem Spezialchemikalien, Zement und Halbleitermaterialien.

725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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