Verfahren zur Herstellung einer Transistorvorrichtung mit einem Germanium-Kanalmaterial auf einem siliziumbasierten Substrat

EP3018715 Art B1 23. Oktober 2024

Anmelder: IMEC VZW 🇧🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3018715
Aktenzeichen: EP14191938
Anmeldetag: 5. November 2014
Veröffentlichung: 23. Oktober 2024
Erteilung: 23. Oktober 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/66H01L29/78H01L29/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: IMEC VZW
Land: 🇧🇪 Belgien

🇧🇪 imec

Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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