Verfahren zur Herstellung von Siliciumcarbideinkristallen

EP3028994 Art B1 10. Juni 2020

Anmelder: Taiheiyo Cement Corporation, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3028994
Aktenzeichen: EP13890859
Anmeldetag: 27. November 2013
Veröffentlichung: 10. Juni 2020
Erteilung: 10. Juni 2020
Rechtsraum: EP
IPC: C01B32/956C30B29/36C30B23/00C30B23/02

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Taiheiyo Cement Corporation
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

3.785 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von