Verfahren zur Herstellung von Substratdurchgängen und Zugehöriges Halbleiterbauelement
EP3032578
Art B1
13. Januar 2021
Anmelder: IMEC VZW, IMEC 🇧🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3032578
- Aktenzeichen
- EP15202771
- Anmeldetag
- 12. März 2009
- Veröffentlichung
- 13. Januar 2021
- Erteilung
- 13. Januar 2021
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/768H01L23/48
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- IMEC VZW
IMEC - Land
- 🇧🇪 Belgien
🇧🇪
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