Integrierte Schaltung mit Gruppe-Iii-N-Transistoren, die Monolithisch auf einem Siliziumsubstrat Integriert Sind, und Verfahren zur Herstellung davon
EP3032579
Art A1
15. Juni 2016
Anmelder: IMEC VZW 🇧🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3032579
- Aktenzeichen
- EP15197317
- Anmeldetag
- 1. Dezember 2015
- Veröffentlichung
- 15. Juni 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8252H01L27/06H01L27/085H01L29/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- IMEC VZW
- Land
- 🇧🇪 Belgien
🇧🇪
imec
Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.
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