Integrierte Schaltung mit Gruppe-Iii-N-Transistoren, die Monolithisch auf einem Siliziumsubstrat Integriert Sind, und Verfahren zur Herstellung davon

EP3032579 Art A1 15. Juni 2016

Anmelder: IMEC VZW 🇧🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3032579
Aktenzeichen
EP15197317
Anmeldetag
1. Dezember 2015
Veröffentlichung
15. Juni 2016
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/8252H01L27/06H01L27/085H01L29/10
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
IMEC VZW
Land
🇧🇪 Belgien
🇧🇪 imec

Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.

2.629 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen