Dünnschichttransistor

EP3032589 Art A3 22. Juni 2016

Anmelder: Samsung Display Co., Ltd. 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3032589
Aktenzeichen: EP15187016
Anmeldetag: 28. September 2015
Veröffentlichung: 22. Juni 2016
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/786H01L29/45H01L29/66

Abstract

A thin film transistor having uniform electrical characteristics and reduced power consumption is presented. The thin film transistor includes a semiconductor layer, a first metal oxide layer coming in contact with the semiconductor layer and having thermal conductivity that is lower than the thermal conductivity of the semiconductor layer and a second metal oxide layer coming in contact with the first metal oxide layer and having thermal conductivity that is higher than the thermal conductivity of the first metal oxide layer.

Anmelder

Firma: Samsung Display Co., Ltd.
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Samsung Display

Südkoreanisches Tochterunternehmen der Samsung-Gruppe, das Displaypanels wie OLED- und LCD-Bildschirme für Smartphones, Fernseher und weitere Elektronikgeräte entwickelt und herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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