Verfahren zum Züchten eines Einkristalls durch Kristallisieren des Einkristalls aus einer Fliesszone
EP3034658
Art B1
14. Juni 2017
Anmelder: Siltronic AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3034658
- Aktenzeichen
- EP15198405
- Anmeldetag
- 8. Dezember 2015
- Veröffentlichung
- 14. Juni 2017
- Erteilung
- 14. Juni 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B13/20C30B13/32C30B29/06C30B13/26
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Siltronic AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Siltronic
Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.
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