Ingaaln-Basiertes Halbleiterelement
EP3043389
Art B1
20. Mai 2020
Anmelder: Japan Science and Technology Agency 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3043389
- Aktenzeichen
- EP14840925
- Anmeldetag
- 28. August 2014
- Veröffentlichung
- 20. Mai 2020
- Erteilung
- 20. Mai 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Japan Science and Technology Agency
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Japan Science and Technology Agency
Japanische staatliche Förderorganisation für Wissenschaft und Technologie, die Forschungsprojekte finanziert und den Technologietransfer zwischen Universitäten und Industrie unterstützt. Die Behörde untersteht dem japanischen Bildungsministerium.
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Fachgebiete
Vertreten von
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Plasseraud IP · Paris
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Cabinet Plasseraud
Cabinet Plasseraud · Paris