Leistungsmodul und Verfahren zur Herstellung davon

EP3057126 Art B1 4. September 2019

Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3057126
Aktenzeichen: EP14853126
Anmeldetag: 6. Oktober 2014
Veröffentlichung: 4. September 2019
Erteilung: 4. September 2019
Rechtsraum: EP
IPC: H01L23/14H01L23/12H01L23/36H01L23/373H01L23/49H01L23/495H01L25/07H01L25/18

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Rohm Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

2.771 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von