Herstellungsverfahren für Halbleitersubstrate und Herstellungsverfahren für Halbleiterbauelemente mit Hitzebehandlung einer Germaniumschicht

EP3065163 Art A1 7. September 2016

Anmelder: Japan Science and Technology Agency 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3065163
Aktenzeichen: EP14857817
Anmeldetag: 10. Oktober 2014
Veröffentlichung: 7. September 2016
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/324H01L21/336H01L29/78

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Anmelder

Firma: Japan Science and Technology Agency
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Japan Science and Technology Agency

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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