Transistor mit Mis-Anschlüssen, und Herstellungsverfahren
Anmelder: Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3065180
- Aktenzeichen
- EP16158279
- Anmeldetag
- 2. März 2016
- Veröffentlichung
- 28. Juni 2023
- Erteilung
- 28. Juni 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/08H01L21/285H01L21/768H01L21/336H01L29/417
Abstract
The invention relates to a field effect transistor, comprising: - a source (131), a drain (132) and a channel (133) formed in a semiconductor layer (130); - a gate stack arranged above the channel (133), comprising a metal electrode (122), a first electrical insulating layer (121) arranged between the metal electrode and the channel (133), and a second electrical insulating layer (123) covering the metal electrode; - a metal contact (141) arranged directly above the source or the drain and at least partially directly above said gate stack; - a third electrical insulating layer (113) arranged between said metal contact and said source (131) or said drain (132).
Anmelder
- Firma
- Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
Die Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (CEA) ist eine französische staatliche Forschungseinrichtung mit Schwerpunkt Kernenergie, alternative Energien und Grundlagenforschung. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Mess- und Prüftechnik, ergänzt durch Software, Energietechnik und Werkstoffkunde. Anmeldungen sind seit 2000 durchgehend belegt.
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