Verfahren zur Herstellung von vertikalen Strukturen in einer Halbleiterzielschicht
EP3067919
Art A1
14. September 2016
Anmelder: IMEC VZW 🇧🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3067919
- Aktenzeichen
- EP15158703
- Anmeldetag
- 11. März 2015
- Veröffentlichung
- 14. September 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/3065
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- IMEC VZW
- Land
- 🇧🇪 Belgien
🇧🇪
imec
Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.
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