Halbleiterbauelement und Entwurfsverfahren dafür
EP3089206
Art B1
17. April 2019
Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3089206
- Aktenzeichen
- EP14873664
- Anmeldetag
- 20. November 2014
- Veröffentlichung
- 17. April 2019
- Erteilung
- 17. April 2019
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/822H01L27/04H01L27/02G06F17/50H01L21/66
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Rohm Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Rohm
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).
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Vertreten von
-
Isarpatent
Isarpatent · München