Hochgeschwindigkeits-Germanium-Pin-Fotodiode

EP3096362 Art B1 18. April 2018

Anmelder: IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3096362
Aktenzeichen: EP16166948
Anmeldetag: 25. April 2016
Veröffentlichung: 18. April 2018
Erteilung: 18. April 2018
Rechtsraum: EP
IPC: H01L31/105G02B6/42

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 IHP – Innovations for High Performance Microelectronics

Deutsches Forschungsinstitut (Leibniz-Institut) mit Sitz in Frankfurt (Oder), das an Hochleistungs-Mikroelektronik forscht, darunter Silizium-Germanium-Technologien und Halbleiterschaltungen für Kommunikations- und Sensoranwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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