Verfahren und Vorrichtungen mit Vertikalen Strings von Speicherzellen und Unterstützungsschaltkreis

EP3097561 Art A1 30. November 2016

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3097561
Aktenzeichen
EP15740682
Anmeldetag
21. Januar 2015
Veröffentlichung
30. November 2016
Rechtsraum
EP
IPC
G11C5/02G11C5/04H01L27/11546H01L27/06H01L27/11556H01L27/11582H01L27/11573G11C16/04G11C5/14
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Micron Technology, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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