Verfahren zur Bereitstellung einer Gemusterten Zielschicht in einer Halbleiterstruktur

EP3101682 Art A1 7. Dezember 2016

Anmelder: IMEC VZW 🇧🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3101682
Aktenzeichen: EP15170519
Anmeldetag: 3. Juni 2015
Veröffentlichung: 7. Dezember 2016
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/033H01L21/308H01L21/311H01L21/316

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: IMEC VZW
Land: 🇧🇪 Belgien

🇧🇪 imec

Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.

2.629 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von