Lichtemittierendes Halbleiterelement

EP3101697 Art B1 23. März 2022

Anmelder: QD Laser, Inc., The University Of Sheffield 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3101697
Aktenzeichen
EP15740889
Anmeldetag
7. Januar 2015
Veröffentlichung
23. März 2022
Erteilung
23. März 2022
Rechtsraum
EP
IPC
H01L33/06H01L33/08// H01L33/30
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
QD Laser, Inc.
The University Of Sheffield
Land
🇯🇵 Japan

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