Halbleiterbauelemente und Verfahren zur Totzeitoptimierung

EP3109990 Art B1 28. Juni 2023

Anmelder: NXP USA, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3109990
Aktenzeichen
EP16173418
Anmeldetag
7. Juni 2016
Veröffentlichung
28. Juni 2023
Erteilung
28. Juni 2023
Rechtsraum
EP
IPC
H02M3/156H03K17/28H02M1/38// H02M1/08H03K17/16
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
NXP USA, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 NXP USA

US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.

1.545 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Elektrische Energietechnik Elektronik & Schaltungstechnik
Vertreten von
Schmütz, Christian Klaus Johannes NXP Semiconductors Germany GmbH · Inhouse Hamburg, Deutschland
560
Patente gesamt
15
Fachgebiete
4
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Schwerpunkte
Nachrichtentechnik & Telekommunikation Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Software & Datenverarbeitung Elektrische Energietechnik
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