Hochleistungshalbleiterbauelement-Modul
EP3116020
Art B1
29. Januar 2020
Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3116020
- Aktenzeichen
- EP15759174
- Anmeldetag
- 4. März 2015
- Veröffentlichung
- 29. Januar 2020
- Erteilung
- 29. Januar 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/495H01L23/31H01L21/60
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Rohm Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Rohm
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).
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