Verfahren zur Herstellung einer Diode mit Vertikaler Struktur

EP3121857 Art B1 9. Oktober 2019

Anmelder: LG Innotek Co., Ltd. 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3121857
Aktenzeichen: EP16187118
Anmeldetag: 21. Oktober 2002
Veröffentlichung: 9. Oktober 2019
Erteilung: 9. Oktober 2019
Rechtsraum: EP
IPC: H01L33/00// H01L33/32H01L33/40

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LG Innotek Co., Ltd.
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 LG Innotek

Südkoreanisches Elektronikunternehmen mit Sitz in Seoul, Tochtergesellschaft der LG-Gruppe. Entwickelt Komponenten für Kamera- und Optikmodule, Halbleiterträger, Motoren und Materialien für Mobilgeräte, Fahrzeuge und Displays.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von