Halbleiterbauelementherstellungsverfahren und Halbleiterbauelement

EP3128539 Art B1 8. Januar 2020

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3128539
Aktenzeichen
EP14835686
Anmeldetag
27. März 2014
Veröffentlichung
8. Januar 2020
Erteilung
8. Januar 2020
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/50H01L23/28H01L23/50H01L23/31H01L21/288H01L23/495H01L21/48H01L21/56H01L23/00H01L25/065
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Renesas Electronics Corporation
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

1.103 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Vertreten von
Moore, Graeme Patrick London, Großbritannien
1.021
Patente gesamt
32
Fachgebiete
15
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Software & Datenverarbeitung Nachrichtentechnik & Telekommunikation Halbleiter & Elektrische Bauelemente Heiz-, Kühl- & Beleuchtungstechnik Elektrische Energietechnik Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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