Hf-Verstärkermodul und Verfahren zur Herstellung davon

EP3133735 Art B1 17. Juni 2020

Anmelder: NXP USA, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3133735
Aktenzeichen
EP16182864
Anmeldetag
4. August 2016
Veröffentlichung
17. Juni 2020
Erteilung
17. Juni 2020
Rechtsraum
EP
IPC
H01F17/00H01L23/367H01L23/48H01L23/495H03F1/02H03F1/56H03F3/195H03F3/21H03F3/213
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
NXP USA, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 NXP USA

US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.

1.545 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Vertreten von
Hardingham, Christopher Mark NXP Semiconductors · Inhouse Hamburg, Deutschland
1.676
Patente gesamt
24
Fachgebiete
6
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Nachrichtentechnik & Telekommunikation Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Elektrische Energietechnik Software & Datenverarbeitung
Zum Anwaltsprofil
Weitere Vertreter

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen