Verfahren zur Herstellung eines Übergangs-Feldeffekt-Transistors auf einem Halbleitersubstrat

EP3136426 Art B1 3. April 2019

Anmelder: IMEC VZW 🇧🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3136426
Aktenzeichen: EP15182155
Anmeldetag: 24. August 2015
Veröffentlichung: 3. April 2019
Erteilung: 3. April 2019
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/337H01L29/808H01L29/10// H01L21/265H01L29/861H01L21/329H01L21/761

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: IMEC VZW
Land: 🇧🇪 Belgien

🇧🇪 imec

Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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