Halbleiterstruktur mit Verbesserter Spannungsfestigkeit

EP3144956 Art A1 22. März 2017

Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives, Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3144956
Aktenzeichen
EP16189001
Anmeldetag
15. September 2016
Veröffentlichung
22. März 2017
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/02
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
Land
🇫🇷 Frankreich
🇫🇷 CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)

Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.

5.929 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen