Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
EP3144959
Art A3
17. Mai 2017
Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3144959
- Aktenzeichen
- EP16182633
- Anmeldetag
- 3. August 2016
- Veröffentlichung
- 17. Mai 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/28H01L27/1157H01L27/11573H01L27/06H01L21/265H01L49/02H01L21/324
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Renesas Electronics Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Renesas Electronics
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.
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Fachgebiete
Vertreten von
Addiss, John William
London, Großbritannien
518
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Fachgebiete
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Mewburn Ellis LLP
Mewburn Ellis LLP · München