Halbleiterbauelement

EP3144975 Art B1 18. November 2020

Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3144975
Aktenzeichen
EP15793063
Anmeldetag
15. Mai 2015
Veröffentlichung
18. November 2020
Erteilung
18. November 2020
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/78H01L29/872H01L29/739H01L29/06H01L29/16H01L23/31H01L23/60// H01L29/47
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Rohm Co., Ltd.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

2.771 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen