Antimonidbasierter Tunnelübergang mit Hoher Bandlücke für Halbleiterbauelemente

EP3144979 Art B1 8. Mai 2024

Anmelder: The Boeing Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3144979
Aktenzeichen
EP16178410
Anmeldetag
7. Juli 2016
Veröffentlichung
8. Mai 2024
Erteilung
8. Mai 2024
Rechtsraum
EP
IPC
H01L31/0687H01L31/0693H01L31/0304H01L31/18H01L29/885
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
The Boeing Company
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Boeing

US-amerikanischer Luft- und Raumfahrtkonzern mit Sitz in Virginia. Entwickelt und fertigt Verkehrsflugzeuge, Militärflugzeuge, Raumfahrtsysteme sowie Verteidigungs- und Sicherheitstechnik.

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