Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung davon
EP3159918
Art A1
26. April 2017
Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3159918
- Aktenzeichen
- EP16817494
- Anmeldetag
- 5. Februar 2016
- Veröffentlichung
- 26. April 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/786H01L29/66C23C14/08C23C14/58H01L21/363H01L29/24C23C14/14C23C14/24C23C14/34C23C16/56C23C16/40C23C16/44C23C16/34C23C16/30
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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Vertreten von
-
Boult Wade Tennant LLP
Boult Wade Tennant LLP · London
-
Boult Wade Tennant
Boult Wade Tennant · London