Verfahren und Struktur für Cmos-Metallgatestapel
Anmelder: Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation, Semiconductor Manufacturing International (Beijing) Corporation, Semiconductor Manufacturing International Corporation (Shanghai), Semiconductor Manufacturing International Corporation (Beijing) 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3159926
- Aktenzeichen
- EP16193001
- Anmeldetag
- 10. Oktober 2016
- Veröffentlichung
- 9. Dezember 2020
- Erteilung
- 9. Dezember 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8238H01L27/092
Abstract
A method for forming a semiconductor device includes providing a substrate, the substrate including a first trench in an NMOS region and a second trench in a PMOS region. The method also includes depositing a high-K dielectric layer, a cap layer, and a P-type work function metal layer on the bottom and side walls of the first trench and the second trench, removing the P-type work function metal layer and the cap layer from the bottom and sidewalls of the first trench, depositing an N-type work function metal layer on the high-K dielectric layer in the first trench and on the P-type work function metal layer in the second trench, and depositing a metal electrode layer on the N-type work function metal layer.
Anmelder
- Firmen
- Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation
Semiconductor Manufacturing International (Beijing) Corporation
Semiconductor Manufacturing International Corporation (Shanghai)
Semiconductor Manufacturing International Corporation (Beijing) - Land
- 🇨🇳 China
Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) ist eine Tochtergesellschaft der chinesischen Chipfoundry SMIC mit Sitz in Shanghai. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiterbauelemente, ergänzt um Elektronik- und Steuerungstechnik. Die Anmeldungen aus den Jahren 2016 bis 2021 betreffen unter anderem Halbleiterstrukturen und Spannungsregler.
266 Patente in unserer Datenbank
Semiconductor Manufacturing International (Beijing) ist die Pekinger Fertigungstochter des chinesischen Chip-Auftragsfertigers SMIC. Das Patentportfolio dreht sich fast vollständig um Halbleiter- und elektrische Bauelemente, mit kleineren Anteilen in Datenspeicherung und Optik. Die Anmeldungen stammen überwiegend aus den Jahren 2016 bis 2021.
281 Patente in unserer Datenbank