Halbleiterstruktur mit einer Aktiven Halbleiterschicht der Iii-V-Art auf einem Pufferschichtstapel und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur

EP3178107 Art B8 1. Januar 2025

Anmelder: Soitec Belgium NV, EpiGan NV 🇧🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3178107
Aktenzeichen
EP15738399
Anmeldetag
22. Juli 2015
Veröffentlichung
1. Januar 2025
Erteilung
1. Januar 2025
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/20
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
Soitec Belgium NV
EpiGan NV
Land
🇧🇪 Belgien

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Vertreten von
Plas, Axel Ivo Michel Antwerpen, Belgien
412
Patente gesamt
29
Fachgebiete
9
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Nachrichtentechnik & Telekommunikation Software & Datenverarbeitung Verpackungs- & Fördertechnik Elektrische Energietechnik Elektronik & Schaltungstechnik Anzeige-, Signal- & Kontrolltechnik
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