Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
Anmelder: Nexperia B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3182445
- Aktenzeichen
- EP15200095
- Anmeldetag
- 15. Dezember 2015
- Veröffentlichung
- 18. November 2020
- Erteilung
- 18. November 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/31H01L21/762H01L23/29H01L29/205H01L29/66H01L29/778H01L29/872// H01L29/40
Abstract
A semiconductor device and a method of making the same. The device includes a substrate comprising a major surface and a backside. The device also includes a dielectric partition for electrically isolating a first part of the substrate from a second part of the substrate. The dielectric partition extends through the substrate from the major surface to the backside.
Anmelder
- Firma
- Nexperia B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
Der Anmelder ist ein niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Nijmegen, der als Ausgründung aus NXP Semiconductors hervorging. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Halbleiter- und Elektrobauelemente, ergänzt durch Elektronik, Schaltungstechnik und elektrische Energietechnik. Anmeldungen laufen seit 2009 durchgehend fort.
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Fachgebiete
-
Crawford, Andrew
NoneNijmegen