Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements

EP3182445 Art B1 18. November 2020

Anmelder: Nexperia B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3182445
Aktenzeichen
EP15200095
Anmeldetag
15. Dezember 2015
Veröffentlichung
18. November 2020
Erteilung
18. November 2020
Rechtsraum
EP
IPC
H01L23/31H01L21/762H01L23/29H01L29/205H01L29/66H01L29/778H01L29/872// H01L29/40
Offizieller Volltext

Abstract

A semiconductor device and a method of making the same. The device includes a substrate comprising a major surface and a backside. The device also includes a dielectric partition for electrically isolating a first part of the substrate from a second part of the substrate. The dielectric partition extends through the substrate from the major surface to the backside.

Anmelder

Firma
Nexperia B.V.
Land
🇳🇱 Niederlande
🇳🇱 Nexperia

Der Anmelder ist ein niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Nijmegen, der als Ausgründung aus NXP Semiconductors hervorging. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Halbleiter- und Elektrobauelemente, ergänzt durch Elektronik, Schaltungstechnik und elektrische Energietechnik. Anmeldungen laufen seit 2009 durchgehend fort.

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