Gate-Rundherum Halbleiterbauelement mit Zwei Gruppe Iii-V Halbleiter Nanodrähte
EP3185302
Art B1
9. Mai 2018
Anmelder: IMEC vzw 🇧🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3185302
- Aktenzeichen
- EP17154908
- Anmeldetag
- 25. März 2015
- Veröffentlichung
- 9. Mai 2018
- Erteilung
- 9. Mai 2018
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/775H01L21/336H01L29/06H01L29/10B82Y10/00B82Y40/00H01L29/20H01L21/02H01L29/423
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- IMEC vzw
- Land
- 🇧🇪 Belgien
🇧🇪
imec
Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.
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