Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
EP3188216
Art A1
5. Juli 2017
Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3188216
- Aktenzeichen
- EP16201552
- Anmeldetag
- 30. November 2016
- Veröffentlichung
- 5. Juli 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/28H01L29/423H01L29/66H01L29/78H01L29/792H01L27/1157H01L27/11573
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Renesas Electronics Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Renesas Electronics
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.
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Vertreten von
Moore, Graeme Patrick
London, Großbritannien
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Mewburn Ellis LLP · München