Herstellungsverfahren eines Halbleiterfilms, Halbleiterfilm und Feldeffekttransistor

EP3188219 Art A1 5. Juli 2017

Anmelder: The University of Tokyo 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3188219
Aktenzeichen: EP15835627
Anmeldetag: 28. August 2015
Veröffentlichung: 5. Juli 2017
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/368H01L21/336H01L29/786H01L51/05H01L51/40

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: The University of Tokyo
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 University of Tokyo

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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