Dünnschichttransistor, Diesbezügliche Anzeige und Verfahren zu dessen Herstellung
Anmelder: LG Display Co., Ltd. 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3188247
- Aktenzeichen
- EP16207240
- Anmeldetag
- 29. Dezember 2016
- Veröffentlichung
- 6. Mai 2020
- Erteilung
- 6. Mai 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/66H01L29/786
Abstract
A thin film transistor includes a gate electrode, an active layer formed of oxide semiconductor material on a substrate, and a gate insulation layer therebetween. The active layer includes a channel region corresponding to the gate electrode, a source region at one side of the channel region, and a drain region at the other side of the channel region. The source region includes a first upper portion and the drain region includes a second upper portion that includes the oxide semiconductor material and Si.
Anmelder
- Firma
- LG Display Co., Ltd.
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
Südkoreanisches Unternehmen, das Flachbildschirme entwickelt und fertigt, insbesondere LCD- und OLED-Displays für Fernseher, Monitore, Smartphones und Fahrzeuge.
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Fachgebiete
Kilburn & Strode wurde 1906 in London gegründet und war die erste europäische Patent- und Markenkanzlei, deren Anwälte in Kalifornien als Foreign Legal Consultants zugelassen wurden. Präsenzen bestehen zudem in den Niederlanden, München sowie San Francisco und Boston.
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Carpmaels & Ransford LLP
Carpmaels & Ransford LLP · London