Halbtonphasenschieberfotomaskenrohling und Herstellungsverfahren
Anmelder: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3196698
- Aktenzeichen
- EP17150778
- Anmeldetag
- 10. Januar 2017
- Veröffentlichung
- 3. November 2021
- Erteilung
- 3. November 2021
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G03F1/32G03F1/68
Abstract
A halftone phase shift film is formed on a transparent substrate by reactive sputtering using a silicon target, an inert gas, and a nitrogen-containing reactive gas. A hysteresis curve is drawn by sweeping the flow rate of the reactive gas, and plotting the sputtering voltage or current during the sweep versus the flow rate of the reactive gas. In a transition mode sputtering step of sputtering in a region corresponding to a range from more than the lower limit of reactive gas flow rate providing the hysteresis to less than the upper limit, the target power, the inert gas flow rate and/or the reactive gas flow rate is increased or decreased continuously or stepwise.
Anmelder
- Firma
- Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Shin-Etsu Chemical stellt Siliziumwafer für Halbleiter, Silikonprodukte, PVC und weitere Spezialchemikalien für Elektronik-, Bau- und Industrieanwendungen her.
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Fachgebiete
-
Mewburn Ellis LLP
Mewburn Ellis LLP · München