Halbleiterstruktur und Herstellungsverfahren dafür

EP3203507 Art B1 6. März 2019

Anmelder: Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation, Semiconductor Manufacturing International (Beijing) Corporation, Semiconductor Manufacturing International Corporation (Shanghai), Semiconductor Manufacturing International Corporation (Beijing) 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3203507
Aktenzeichen: EP17153091
Anmeldetag: 25. Januar 2017
Veröffentlichung: 6. März 2019
Erteilung: 6. März 2019
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/768H01L23/373H01L21/762H01L23/48

Offizieller Volltext

Abstract

The present invention provides semiconductor structures and fabrication methods thereof. An exemplary semiconductor structure includes an insulation material layer having a top semiconductor layer having transistor regions formed on a top surface of the insulation material layer; isolation structures formed in the top semiconductor layer between adjacent transistor regions; a first dielectric layer formed over the top semiconductor layer; a first heat-conducting layer having a thermal conductivity higher than a thermal conductivity of the isolation structure and passing through the insulation material layer, the top semiconductor layer and the first dielectric layer; a second dielectric layer formed over the first dielectric layer; an interconnect structure formed in the second dielectric layer; and a bottom layer conductive via passing through the heat-conducting layer and a partial thickness of the second dielectric layer, and electrically connected with the interconnect structure.

Anmelder

Firmen: Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation
Semiconductor Manufacturing International (Beijing) Corporation
Semiconductor Manufacturing International Corporation (Shanghai)
Semiconductor Manufacturing International Corporation (Beijing)
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Semiconductor Manufacturing International (Shanghai)

Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) ist eine Tochtergesellschaft der chinesischen Chipfoundry SMIC mit Sitz in Shanghai. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiterbauelemente, ergänzt um Elektronik- und Steuerungstechnik. Die Anmeldungen aus den Jahren 2016 bis 2021 betreffen unter anderem Halbleiterstrukturen und Spannungsregler.

266 Patente in unserer Datenbank

🇨🇳 Semiconductor Manufacturing International (Beijing)

Semiconductor Manufacturing International (Beijing) ist die Pekinger Fertigungstochter des chinesischen Chip-Auftragsfertigers SMIC. Das Patentportfolio dreht sich fast vollständig um Halbleiter- und elektrische Bauelemente, mit kleineren Anteilen in Datenspeicherung und Optik. Die Anmeldungen stammen überwiegend aus den Jahren 2016 bis 2021.

281 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von